半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910709932.6

申请日：

2019-08-01

公开(公告)号：

CN111063689A

公开(公告)日：

2020-04-24

发明(设计)人：

石田贵士杉本尚丈菅野裕士冈本达也

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2711568

IPC分类号：

H01L2711582

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/11568 变更事项:申请人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2020-05-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11568 申请日:20190801
2020-04-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉水康人 ;

说田雄二 ;

鬼头杰 .

日本专利 :CN111725225B ,2024-12-17

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉水康人 ;

说田雄二 ;

鬼头杰 .

日本专利 :CN119497381A ,2025-02-21

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

滨田龙文 ;

九鬼知博 ;

满野阳介 ;

五月女真一 ;

铃木亮太 .

中国专利 :CN115000077A ,2022-09-02

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

清水峻 .

日本专利 :CN121218598A ,2025-12-26

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉水康人 ;

说田雄二 ;

鬼头杰 .

中国专利 :CN111725225A ,2020-09-29

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

矶贝达典 ;

冈田俊祐 ;

青山知宪 ;

野口将希 .

中国专利 :CN113921531A ,2022-01-11

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

服卷直美 .

中国专利 :CN113497056A ,2021-10-12

[8]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[9]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102804414B ,2012-11-28

[10]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102754225B ,2012-10-24

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