半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411690158.6

申请日：

2019-06-05

公开(公告)号：

CN119497381A

公开(公告)日：

2025-02-21

发明(设计)人：

吉水康人说田雄二鬼头杰

申请人：

铠侠股份有限公司

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H10B41/20

IPC分类号：

H10B41/35 H10B41/41 H10B43/20 H10B43/35 H10B43/40

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/20申请日:20190605
2025-02-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉水康人 ;

说田雄二 ;

鬼头杰 .

日本专利 :CN111725225B ,2024-12-17

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

石田贵士 ;

杉本尚丈 ;

菅野裕士 ;

冈本达也 .

中国专利 :CN111063689A ,2020-04-24

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

滨田龙文 ;

九鬼知博 ;

满野阳介 ;

五月女真一 ;

铃木亮太 .

中国专利 :CN115000077A ,2022-09-02

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

清水峻 .

日本专利 :CN121218598A ,2025-12-26

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉水康人 ;

说田雄二 ;

鬼头杰 .

中国专利 :CN111725225A ,2020-09-29

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

矶贝达典 ;

冈田俊祐 ;

青山知宪 ;

野口将希 .

中国专利 :CN113921531A ,2022-01-11

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

服卷直美 .

中国专利 :CN113497056A ,2021-10-12

[8]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[9]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102804414B ,2012-11-28

[10]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102754225B ,2012-10-24

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