半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410239582.9

申请日：

2014-05-30

公开(公告)号：

CN105226045B

公开(公告)日：

2016-01-06

发明(设计)人：

陈建桦李德章张勇舜李宝男

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L21822

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林斯凯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	公开	公开
2018-07-27	授权	授权
2016-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101644507559 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2014102395829 申请日:20140530

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵振衍 .

中国专利 :CN1815714A ,2006-08-09

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

熊泽谦太郎 ;

户村善广 .

中国专利 :CN102017113A ,2011-04-13

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵基熙 ;

姜相列 ;

姜埈求 ;

金泰均 ;

朴志云 ;

安相赫 ;

李珍秀 ;

李炫锡 ;

蔡弘植 .

韩国专利 :CN114068812B ,2025-02-11

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

金有珍 ;

吉德信 ;

安致鸿 .

中国专利 :CN111599919A ,2020-08-28

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵基熙 ;

姜相列 ;

姜埈求 ;

金泰均 ;

朴志云 ;

安相赫 ;

李珍秀 ;

李炫锡 ;

蔡弘植 .

中国专利 :CN114068812A ,2022-02-18

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

金泰均 ;

沈载垣 ;

郑在陈 .

韩国专利 :CN119181697A ,2024-12-24

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

朴正敏 ;

林汉镇 ;

郑圭镐 ;

赵哲珍 .

中国专利 :CN114784004A ,2022-07-22

[8]

半导体装置制造方法及其半导体装置 [P].

矢野尚 ;

林慎一郎 .

中国专利 :CN1638060A ,2005-07-13

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

安正烈 ;

李闰敬 .

中国专利 :CN102969314A ,2013-03-13

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴悠 ;

朱筠 .

中国专利 :CN108962921A ,2018-12-07

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