半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510132354.2

申请日：

2005-12-21

公开(公告)号：

CN1815714A

公开(公告)日：

2006-08-09

发明(设计)人：

赵振衍

申请人：

申请人地址：

韩国忠清北道

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L2702

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦;杨红梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-09	公开	公开
2008-08-13	授权	授权
2020-12-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/82 申请日:20051221 授权公告日:20080813 终止日期:20191221

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈建桦 ;

李德章 ;

张勇舜 ;

李宝男 .

中国专利 :CN105226045B ,2016-01-06

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

朴正敏 ;

林汉镇 ;

郑圭镐 ;

赵哲珍 .

中国专利 :CN114784004A ,2022-07-22

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

安正烈 ;

李闰敬 .

中国专利 :CN102969314A ,2013-03-13

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

熊泽谦太郎 ;

户村善广 .

中国专利 :CN102017113A ,2011-04-13

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵基熙 ;

姜相列 ;

姜埈求 ;

金泰均 ;

朴志云 ;

安相赫 ;

李珍秀 ;

李炫锡 ;

蔡弘植 .

韩国专利 :CN114068812B ,2025-02-11

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

金有珍 ;

吉德信 ;

安致鸿 .

中国专利 :CN111599919A ,2020-08-28

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵基熙 ;

姜相列 ;

姜埈求 ;

金泰均 ;

朴志云 ;

安相赫 ;

李珍秀 ;

李炫锡 ;

蔡弘植 .

中国专利 :CN114068812A ,2022-02-18

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

金泰均 ;

沈载垣 ;

郑在陈 .

韩国专利 :CN119181697A ,2024-12-24

[9]

半导体装置制造方法及其半导体装置 [P].

矢野尚 ;

林慎一郎 .

中国专利 :CN1638060A ,2005-07-13

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

伊藤昭男 ;

高井一章 ;

齐藤丈靖 .

中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23

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