半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110837411.6

申请日：

2021-07-23

公开(公告)号：

CN114068812B

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

赵基熙姜相列姜埈求金泰均朴志云安相赫李珍秀李炫锡蔡弘植

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

H10B12/00

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

赵南;张青

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵基熙 ;

姜相列 ;

姜埈求 ;

金泰均 ;

朴志云 ;

安相赫 ;

李珍秀 ;

李炫锡 ;

蔡弘植 .

中国专利 :CN114068812A ,2022-02-18

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 ;

周峰 ;

杨小军 .

中国专利 :CN108630604A ,2018-10-09

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

鲸井裕 .

中国专利 :CN107887402A ,2018-04-06

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈建桦 ;

李德章 ;

张勇舜 ;

李宝男 .

中国专利 :CN105226045B ,2016-01-06

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

彭仕敏 .

中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈卓凡 ;

张海洋 .

中国专利 :CN108133946A ,2018-06-08

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630541A ,2018-10-09

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

宋长庚 .

中国专利 :CN107039450A ,2017-08-11

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

冯军宏 .

中国专利 :CN107579066B ,2018-01-12

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