半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710158434.8
申请日
2017-03-17
公开(公告)号
CN108630541A
公开(公告)日
2018-10-09
发明(设计)人
杨佳琦 赵杰
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978 H01L2906
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
曲瑞
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
杨佳琦 ;
赵杰 .
中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
赵杰 ;
刘佳磊 ;
王亮 .
中国专利 :CN106960818A ,2017-07-18
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
张海洋 ;
纪世良 .
中国专利 :CN109904112B ,2019-06-18
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN107452604A ,2017-12-08
[5]
NMOS器件、半导体装置及其制造方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN106601606A ,2017-04-26
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
邓浩 ;
徐建华 ;
周峰 ;
杨小军 .
中国专利 :CN108630604A ,2018-10-09
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
彭仕敏 .
中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13
[8]
栅极堆叠结构、NMOS器件、半导体装置及其制造方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN106601605B ,2017-04-26
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
吴悠 ;
朱筠 .
中国专利 :CN108962921A ,2018-12-07
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
王贤超 .
中国专利 :CN107799386B ,2018-03-13