半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610017070.7

申请日：

2016-01-12

公开(公告)号：

CN106960818A

公开(公告)日：

2017-07-18

发明(设计)人：

赵杰刘佳磊王亮

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

刘倜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101740565902 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2016100170707 申请日:20160112
2020-10-02	授权	授权
2017-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630541A ,2018-10-09

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107452604A ,2017-12-08

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 ;

周峰 ;

杨小军 .

中国专利 :CN108630604A ,2018-10-09

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

彭仕敏 .

中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

宋长庚 .

中国专利 :CN107039450A ,2017-08-11

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107516649B ,2017-12-26

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵基熙 ;

姜相列 ;

姜埈求 ;

金泰均 ;

朴志云 ;

安相赫 ;

李珍秀 ;

李炫锡 ;

蔡弘植 .

韩国专利 :CN114068812B ,2025-02-11

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

冯军宏 .

中国专利 :CN107579066B ,2018-01-12

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵基熙 ;

姜相列 ;

姜埈求 ;

金泰均 ;

朴志云 ;

安相赫 ;

李珍秀 ;

李炫锡 ;

蔡弘植 .

中国专利 :CN114068812A ,2022-02-18

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