半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610510621.3

申请日：

2016-07-01

公开(公告)号：

CN107579066B

公开(公告)日：

2018-01-12

发明(设计)人：

冯军宏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2177

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

刘倜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-12	公开	公开
2018-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20160701
2020-03-31	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 ;

周峰 ;

杨小军 .

中国专利 :CN108630604A ,2018-10-09

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

彭仕敏 .

中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN107887261A ,2018-04-06

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630541A ,2018-10-09

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

宋长庚 .

中国专利 :CN107039450A ,2017-08-11

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵基熙 ;

姜相列 ;

姜埈求 ;

金泰均 ;

朴志云 ;

安相赫 ;

李珍秀 ;

李炫锡 ;

蔡弘植 .

韩国专利 :CN114068812B ,2025-02-11

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵基熙 ;

姜相列 ;

姜埈求 ;

金泰均 ;

朴志云 ;

安相赫 ;

李珍秀 ;

李炫锡 ;

蔡弘植 .

中国专利 :CN114068812A ,2022-02-18

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN107887333A ,2018-04-06

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵杰 ;

刘佳磊 ;

王亮 .

中国专利 :CN106960818A ,2017-07-18

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