半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610073071.3
申请日
2016-02-02
公开(公告)号
CN107039450A
公开(公告)日
2017-08-11
发明(设计)人
宋长庚
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2711524
IPC分类号
H01L21764
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
孙宝海
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
彭仕敏 .
中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
杨佳琦 ;
赵杰 .
中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
邓浩 ;
徐建华 ;
周峰 ;
杨小军 .
中国专利 :CN108630604A ,2018-10-09
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN109427880B ,2019-03-05
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
杨佳琦 ;
赵杰 .
中国专利 :CN108630541A ,2018-10-09
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
赵基熙 ;
姜相列 ;
姜埈求 ;
金泰均 ;
朴志云 ;
安相赫 ;
李珍秀 ;
李炫锡 ;
蔡弘植 .
韩国专利 :CN114068812B ,2025-02-11
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN109427680B ,2019-03-05
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
冯军宏 .
中国专利 :CN107579066B ,2018-01-12
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
赵基熙 ;
姜相列 ;
姜埈求 ;
金泰均 ;
朴志云 ;
安相赫 ;
李珍秀 ;
李炫锡 ;
蔡弘植 .
中国专利 :CN114068812A ,2022-02-18
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
周鸣 .
中国专利 :CN107887262B ,2018-04-06