半导体装置及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610073071.3
申请日
2016-02-02
公开(公告)号
CN107039450A
公开(公告)日
2017-08-11
发明(设计)人
宋长庚
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2711524
IPC分类号
H01L21764
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
孙宝海
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[41]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
王新鹏 .
中国专利 :CN102790085B ,2012-11-21
[42]
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肖德元 .
中国专利 :CN105448989B ,2016-03-30
[43]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN109309052B ,2019-02-05
[44]
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林将志 ;
桥本伸 .
中国专利 :CN101542740B ,2009-09-23
[45]
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李昆穆 ;
游明华 ;
郭紫微 ;
建伦·杨 .
中国专利 :CN106469653A ,2017-03-01
[46]
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D·卡佩利 .
:CN120321981A ,2025-07-15
[47]
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张海洋 ;
郑喆 .
中国专利 :CN106960875A ,2017-07-18
[48]
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金有珍 ;
吉德信 ;
安致鸿 .
中国专利 :CN111599919A ,2020-08-28
[49]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
严大成 .
韩国专利 :CN113257821B ,2024-03-19
[50]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
O·霍尔菲尔德 .
中国专利 :CN111584422A ,2020-08-25