半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411959386.9

申请日：

2024-12-30

公开(公告)号：

CN120321981A

公开(公告)日：

2025-07-15

发明(设计)人：

D·卡佩利

申请人：

意法半导体国际公司

申请人地址：

瑞士

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/85 H10D64/00

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

张小稳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241230
2025-07-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107104144B ,2017-08-29

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

李昆穆 ;

游明华 ;

郭紫微 ;

建伦·杨 .

中国专利 :CN106469653A ,2017-03-01

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

森重恭 ;

宫本光伸 ;

小川康行 ;

中泽淳 ;

内田诚一 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN104081507A ,2014-10-01

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

彭仕敏 .

中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

张志熏 ;

崔智旻 ;

李瑌真 ;

张贤禹 ;

韩正勋 .

中国专利 :CN113451202A ,2021-09-28

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN105448989B ,2016-03-30

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

森重恭 ;

宫本光伸 ;

小川康行 ;

中泽淳 ;

松尾拓哉 ;

内田诚一 .

中国专利 :CN104094386B ,2014-10-08

[8]

半导体装置、半导体装置封装及其制造方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN112951814A ,2021-06-11

[9]

用于制造半导体装置的方法 [P].

李载晳 .

中国专利 :CN100353506C ,2005-11-30

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴悠 ;

朱筠 .

中国专利 :CN108962921A ,2018-12-07

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