用于制造半导体装置的方法

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专利类型
发明
申请号
CN200510069091.5
申请日
2005-05-10
公开(公告)号
CN100353506C
公开(公告)日
2005-11-30
发明(设计)人
李载晳
申请人
申请人地址
韩国首尔
IPC主分类号
H01L213115
IPC分类号
H01L21768
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人
余刚
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
制造半导体装置的方法和半导体装置 [P]. 
金永仁 ;
权炳昊 ;
金睿一 ;
朴钟爀 ;
裴珍宇 ;
宋景浚 ;
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[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
彭仕敏 .
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[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
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[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
李昆穆 ;
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[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
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:CN120321981A ,2025-07-15
[6]
用于制造半导体器件的方法 [P]. 
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张旭凯 ;
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[7]
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[8]
用于制造半导体装置的方法 [P]. 
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[9]
半导体装置制造方法 [P]. 
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[10]
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