用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511218244.1

申请日：

2025-08-28

公开(公告)号：

CN121174590A

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

李绅扬张翔笔张旭凯卢俊甫赵皇麟佐野谦一林斌彦

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

张松 ;

周耀辉 ;

刘群 ;

王德进 .

中国专利 :CN115763252B ,2025-10-21

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

李制勳 ;

金恩贤 ;

申相原 ;

李恩荣 .

中国专利 :CN105552128B ,2016-05-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

马敬 ;

金子貴昭 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN109346419A ,2019-02-15

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

井胁孝之 ;

伊藤孝政 ;

清水香奈 .

中国专利 :CN102280473A ,2011-12-14

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

[6]

制造高效半导体器件的方法 [P].

李庭旭 ;

刘址范 ;

孙哲守 ;

成演准 .

中国专利 :CN1518134A ,2004-08-04

[7]

一种半导体器件的制造方法 [P].

常荣耀 ;

刘少雄 .

中国专利 :CN109872970A ,2019-06-11

[8]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

增田健良 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103748688A ,2014-04-23

[9]

半导体器件及用于制造半导体器件的方法 [P].

金和莹 .

韩国专利 :CN119542317A ,2025-02-28

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

小仓凌 ;

丸山隆弘 .

日本专利 :CN118042844A ,2024-05-14

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