半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111027944.4

申请日：

2021-09-02

公开(公告)号：

CN115763252B

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

张松周耀辉刘群王德进

申请人：

无锡华润上华科技有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H01L21/285 H10D30/67

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

李制勳 ;

金恩贤 ;

申相原 ;

李恩荣 .

中国专利 :CN105552128B ,2016-05-04

[2]

制造高效半导体器件的方法 [P].

李庭旭 ;

刘址范 ;

孙哲守 ;

成演准 .

中国专利 :CN1518134A ,2004-08-04

[3]

用于制造半导体器件的方法 [P].

李绅扬 ;

张翔笔 ;

张旭凯 ;

卢俊甫 ;

赵皇麟 ;

佐野谦一 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN121174590A ,2025-12-19

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴汉明 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN100449784C ,2008-02-13

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

马敬 ;

金子貴昭 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN109346419A ,2019-02-15

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101197290A ,2008-06-11

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

清水达雄 ;

山口豪 ;

西川幸江 .

中国专利 :CN1677691A ,2005-10-05

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

井胁孝之 ;

伊藤孝政 ;

清水香奈 .

中国专利 :CN102280473A ,2011-12-14

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

塚本惠介 ;

三原龙善 .

中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

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