半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110256957.2

申请日：

2021-03-09

公开(公告)号：

CN113451202A

公开(公告)日：

2021-09-28

发明(设计)人：

张志熏崔智旻李瑌真张贤禹韩正勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L218234 H01L23538 H01L27088

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜;王占杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	公开	公开
2022-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20210309

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

宋熙赞 ;

金泽中 ;

李东洙 .

韩国专利 :CN120835611A ,2025-10-24

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

森重恭 ;

宫本光伸 ;

小川康行 ;

中泽淳 ;

内田诚一 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN104081507A ,2014-10-01

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

彭仕敏 .

中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107104144B ,2017-08-29

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

李昆穆 ;

游明华 ;

郭紫微 ;

建伦·杨 .

中国专利 :CN106469653A ,2017-03-01

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

D·卡佩利 .

:CN120321981A ,2025-07-15

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

森重恭 ;

宫本光伸 ;

小川康行 ;

中泽淳 ;

松尾拓哉 ;

内田诚一 .

中国专利 :CN104094386B ,2014-10-08

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

北角英人 .

中国专利 :CN105027296A ,2015-11-04

[9]

半导体装置、半导体装置的制造方法 [P].

方堂凉太 ;

斋藤晓 ;

国武宽司 ;

山崎舜平 ;

和久田真弘 ;

滨田俊树 .

日本专利 :CN118318309A ,2024-07-09

[10]

半导体装置、半导体装置封装及其制造方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN112951814A ,2021-06-11

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