半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510069282.9

申请日：

2025-01-16

公开(公告)号：

CN120835611A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

宋熙赞金泽中李东洙

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/03 H10D64/66 H10D64/68

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

金柱然 ;

前田茂伸 ;

金峰奭 .

中国专利 :CN103681672A ,2014-03-26

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承范 .

中国专利 :CN102034755A ,2011-04-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

李炳训 ;

朴钟昊 ;

金完敦 ;

玄尚镇 .

韩国专利 :CN111668308B ,2025-06-10

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉村铁夫 ;

渡边健一 ;

大塚敏志 .

中国专利 :CN101636834B ,2010-01-27

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

李炳训 ;

朴钟昊 ;

金完敦 ;

玄尚镇 .

中国专利 :CN111668308A ,2020-09-15

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

韩秋华 ;

王新鹏 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102938378A ,2013-02-20

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

权世仁 .

中国专利 :CN102339830A ,2012-02-01

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN100367407C ,1998-08-12

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

金范庸 ;

吉德信 ;

全喜营 .

中国专利 :CN109841498A ,2019-06-04

[10]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

金美晨 ;

李相惇 ;

康卜文 .

中国专利 :CN120878631A ,2025-10-31

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