半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780052210.3

申请日：

2007-03-20

公开(公告)号：

CN101636834B

公开(公告)日：

2010-01-27

发明(设计)人：

吉村铁夫渡边健一大塚敏志

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横浜市

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

H01L2182 H01L2704

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

浦柏明;徐恕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-08	授权	授权
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-08-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/822 登记生效日:20200730 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通半导体股份有限公司变更后权利人:富士通半导体存储方案股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县横浜市变更后权利人:日本神奈川县
2010-01-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴亨镇 .

中国专利 :CN102117809A ,2011-07-06

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

安部谦一郎 .

中国专利 :CN108461398A ,2018-08-28

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN100367407C ,1998-08-12

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

菅谷慎二 ;

桥本浩一 ;

鹰尾义弘 .

中国专利 :CN1734769A ,2006-02-15

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

门岛胜 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN108735800A ,2018-11-02

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

间部谦三 ;

井上尚也 ;

肱冈健一郎 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102623430B ,2012-08-01

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪锡俊 ;

权烔辉 ;

朴昭贤 ;

李洋熙 .

韩国专利 :CN120152278A ,2025-06-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN101299429A ,2008-11-05

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

川下道宏 ;

吉村保广 ;

田中直敬 ;

内藤孝洋 ;

赤沢隆 .

中国专利 :CN101320702A ,2008-12-10

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

真篠直寛 .

中国专利 :CN1320620C ,2004-01-21

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