半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98104086.1

申请日：

1998-02-03

公开(公告)号：

CN100367407C

公开(公告)日：

1998-08-12

发明(设计)人：

望月博奥和田久美金谷宏行日高修

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

G11C1122

IPC分类号：

H01L2710

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

臧霁晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-08-12	公开	公开
1998-06-17	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2011-04-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101063894662 IPC(主分类):G11C 11/22 专利号:ZL981040861 申请日:19980203 授权公告日:20080206 终止日期:20100203
2008-02-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉村铁夫 ;

渡边健一 ;

大塚敏志 .

中国专利 :CN101636834B ,2010-01-27

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井永贵 ;

加藤浩朗 .

中国专利 :CN102820326B ,2012-12-12

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

疋田智之 .

中国专利 :CN102484134B ,2012-05-30

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

稻葉聡 ;

尾崎徹 ;

幸山裕亮 ;

须之内一正 .

中国专利 :CN1135626C ,1998-09-02

[6]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

中村亘 .

中国专利 :CN101253621A ,2008-08-27

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

门岛胜 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN108735800A ,2018-11-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田茂伸 ;

卢铉弼 ;

李忠浩 ;

咸锡宪 .

中国专利 :CN103137621A ,2013-06-05

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