半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510069282.9

申请日：

2025-01-16

公开(公告)号：

CN120835611A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

宋熙赞金泽中李东洙

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/03 H10D64/66 H10D64/68

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[41]

半导体器件及其制造方法 [P].

高光永 .

中国专利 :CN101136335A ,2008-03-05

[42]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴汉明 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN100449784C ,2008-02-13

[43]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109904231B ,2019-06-18

[44]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴祐莹 ;

李起正 ;

池连赫 ;

李承美 .

中国专利 :CN103094344A ,2013-05-08

[45]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴亨镇 .

中国专利 :CN102117809A ,2011-07-06

[46]

半导体器件及其制造方法 [P].

桥本广司 ;

高田和彦 .

中国专利 :CN100429790C ,2005-10-19

[47]

半导体器件及其制造方法 [P].

安部谦一郎 .

中国专利 :CN108461398A ,2018-08-28

[48]

半导体器件及其制造方法 [P].

疋田智之 .

中国专利 :CN102484134B ,2012-05-30

[49]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

藤泽雅彦 ;

大崎明彦 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN102379036A ,2012-03-14

[50]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 .

中国专利 :CN102456690B ,2012-05-16

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