半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510069282.9

申请日：

2025-01-16

公开(公告)号：

CN120835611A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

宋熙赞金泽中李东洙

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/03 H10D64/66 H10D64/68

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[21]

半导体器件及其制造方法 [P].

川下道宏 ;

吉村保广 ;

田中直敬 ;

内藤孝洋 ;

赤沢隆 .

中国专利 :CN101320702A ,2008-12-10

[22]

半导体器件及其制造方法 [P].

真篠直寛 .

中国专利 :CN1320620C ,2004-01-21

[23]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN102931191A ,2013-02-13

[24]

半导体器件及其制造方法 [P].

金燦佑 .

中国专利 :CN102347331A ,2012-02-08

[25]

半导体器件及其制造方法 [P].

关根诚 .

中国专利 :CN1490875A ,2004-04-21

[26]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相敦 .

中国专利 :CN101286526B ,2008-10-15

[27]

半导体器件及其制造方法 [P].

根本道生 ;

中泽治雄 .

中国专利 :CN102983159A ,2013-03-20

[28]

半导体器件及其制造方法 [P].

李盛三 ;

金俊秀 ;

安孝信 ;

山田悟 ;

全柱炫 ;

郑文泳 ;

郑天炯 ;

赵珉熙 ;

蔡教锡 ;

崔恩爱 .

中国专利 :CN107104075A ,2017-08-29

[29]

半导体器件及其制造方法 [P].

茂庭昌弘 ;

松崎望 ;

竹村理一郎 .

中国专利 :CN101136426B ,2008-03-05

[30]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上阳子 .

中国专利 :CN101189716A ,2008-05-28

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