半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911353670.0

申请日：

2019-12-24

公开(公告)号：

CN111668308A

公开(公告)日：

2020-09-15

发明(设计)人：

李炳训朴钟昊金完敦玄尚镇

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

倪斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191224
2020-09-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

李炳训 ;

朴钟昊 ;

金完敦 ;

玄尚镇 .

韩国专利 :CN111668308B ,2025-06-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

宋熙赞 ;

金泽中 ;

李东洙 .

韩国专利 :CN120835611A ,2025-10-24

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴范琎 ;

姜明吉 ;

金洞院 ;

金永权 ;

金钟守 ;

庾烋旻 ;

郑秀真 .

韩国专利 :CN119300461A ,2025-01-10

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1979877B ,2007-06-13

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN105845578A ,2016-08-10

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

池连赫 ;

周文植 ;

张世亿 ;

金炯澈 .

中国专利 :CN105321811A ,2016-02-10

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

李欣怡 ;

洪正隆 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114566500A ,2022-05-31

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

金根楠 ;

黄有商 .

韩国专利 :CN110993685B ,2024-06-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1697179A ,2005-11-16

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

安佑松 ;

李相惇 ;

吴容哲 .

中国专利 :CN113130493B ,2021-07-16

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