半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410835867.2

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN119300461A

公开(公告)日：

2025-01-10

发明(设计)人：

朴范琎姜明吉金洞院金永权金钟守庾烋旻郑秀真

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D64/27 H10D84/03

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

马晓蒙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

唐粕人 .

中国专利 :CN109904120B ,2019-06-18

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN105845578A ,2016-08-10

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN117038738B ,2024-01-26

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

李炳训 ;

朴钟昊 ;

金完敦 ;

玄尚镇 .

韩国专利 :CN111668308B ,2025-06-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN106972054B ,2017-07-21

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

李炳训 ;

朴钟昊 ;

金完敦 ;

玄尚镇 .

中国专利 :CN111668308A ,2020-09-15

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103094325A ,2013-05-08

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山越英明 ;

桥本孝司 ;

阿部真一郎 ;

大水祐人 .

中国专利 :CN108878427A ,2018-11-23

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上真雄 ;

门岛胜 ;

川嶋祥之 ;

山川市朗 .

日本专利 :CN110729301B ,2024-11-08

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