半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910521429.8

申请日：

2019-06-17

公开(公告)号：

CN110729301B

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

井上真雄门岛胜川嶋祥之山川市朗

申请人：

瑞萨电子株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10B43/30

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/51 H01L21/28

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉;傅远

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上真雄 ;

门岛胜 ;

川嶋祥之 ;

山川市朗 .

中国专利 :CN110729301A ,2020-01-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

绪方完 .

中国专利 :CN106024889A ,2016-10-12

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

金冈龙范 ;

川原孝昭 .

中国专利 :CN103311286A ,2013-09-18

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉富敦司 ;

川岛祥之 .

中国专利 :CN107819040A ,2018-03-20

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

时田裕文 ;

绪方完 .

中国专利 :CN105826325A ,2016-08-03

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

志波和佳 .

中国专利 :CN1943037A ,2007-04-04

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

鸟羽功一 ;

石井泰之 ;

川岛祥之 ;

町田悟 ;

中川宗克 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN101051652B ,2007-10-10

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

大和田福夫 .

中国专利 :CN104637947A ,2015-05-20

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

三原龙善 .

中国专利 :CN105655339A ,2016-06-08

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN105914211A ,2016-08-31

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