半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610095901.9

申请日：

2000-08-30

公开(公告)号：

CN1979877B

公开(公告)日：

2007-06-13

发明(设计)人：

柴田宽矶部敦生

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L23522 H01L2182 H01L21768 G03B2100

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

陈景峻

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-27	授权	授权
2020-08-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20000830 授权公告日:20110727 终止日期:20190830
2007-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1697179A ,2005-11-16

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN101150135B ,2008-03-26

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1286493A ,2001-03-07

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1276468C ,2004-10-27

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1163968C ,2001-04-04

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1901167A ,2007-01-24

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

中村亘 .

中国专利 :CN101253621A ,2008-08-27

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN105845578A ,2016-08-10

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

金星寿 ;

李芸燮 .

中国专利 :CN114256181A ,2022-03-29

← 1 2 3 4 5 →