半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610100169.X

申请日：

2000-09-26

公开(公告)号：

CN1901167A

公开(公告)日：

2007-01-24

发明(设计)人：

柴田宽矶部敦生

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L21768 H01L2712 H01L23522 G02F11362 G03B2100

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

顾珊;张志醒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-15	授权	授权
2007-01-24	公开	公开
2007-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/84 申请日:20000926 授权公告日:20081015 终止日期:20180926

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1276468C ,2004-10-27

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1163968C ,2001-04-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

石谷哲二 ;

久保田大介 ;

西毅 .

中国专利 :CN101794040A ,2010-08-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101728434A ,2010-06-09

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN104078512A ,2014-10-01

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

细谷邦雄 .

中国专利 :CN1992294A ,2007-07-04

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101740583B ,2010-06-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

细谷邦雄 .

中国专利 :CN102683421A ,2012-09-19

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1979877B ,2007-06-13

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1697179A ,2005-11-16

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