半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910262554.8

申请日：

2009-12-24

公开(公告)号：

CN101794040A

公开(公告)日：

2010-08-04

发明(设计)人：

石谷哲二久保田大介西毅

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

G02F11333

IPC分类号：

G02F11362 G02F11368

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

刘佳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101183341196 IPC(主分类):G02F 1/1333 专利申请号:2009102625548 申请日:20091224
2010-08-04	公开	公开
2017-01-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101744532479 IPC(主分类):G02F 1/1333 专利申请号:2009102625548 申请公布日:20100804

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1276468C ,2004-10-27

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1163968C ,2001-04-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

细谷邦雄 .

中国专利 :CN1992294A ,2007-07-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1901167A ,2007-01-24

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

细谷邦雄 .

中国专利 :CN102683421A ,2012-09-19

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101728434A ,2010-06-09

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN104078512A ,2014-10-01

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

船田文明 ;

森田达夫 ;

田仲广久 ;

张宏勇 ;

高山徹 .

中国专利 :CN1108804A ,1995-09-20

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 .

中国专利 :CN1316631C ,2001-09-26

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

间濑晃 ;

广木正明 ;

竹村保彦 ;

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

根本英树 .

中国专利 :CN1121741C ,1993-03-17

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