半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811100785.4

申请日：

2018-09-20

公开(公告)号：

CN109841498A

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

金范庸吉德信全喜营

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2364

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

许伟群;郭放

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180920
2019-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

雅各布·C·胡克 .

中国专利 :CN101558493A ,2009-10-14

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

井胁孝之 ;

伊藤孝政 ;

清水香奈 .

中国专利 :CN102280473A ,2011-12-14

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

宫本光伸 ;

高丸泰 .

中国专利 :CN104170069A ,2014-11-26

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112750828A ,2021-05-04

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

王春明 ;

王绍迪 .

中国专利 :CN114743976A ,2022-07-12

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

韩秋华 ;

王新鹏 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102938378A ,2013-02-20

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

马敬 ;

金子貴昭 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN109346419A ,2019-02-15

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112750828B ,2025-03-04

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

宋熙赞 ;

金泽中 ;

李东洙 .

韩国专利 :CN120835611A ,2025-10-24

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

王春明 ;

王绍迪 .

中国专利 :CN114743976B ,2025-09-23

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