半导体器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210507404.4

申请日：

2022-05-10

公开(公告)号：

CN114743976A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

王春明王绍迪

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦1707

IPC主分类号：

H01L2711517

IPC分类号：

H01L2711521

代理机构：

北京市汉坤律师事务所 11602

代理人：

魏小薇;吴丽丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11517 申请日:20220510
2022-07-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

王春明 ;

王绍迪 .

中国专利 :CN114743976B ,2025-09-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

宫本光伸 ;

高丸泰 .

中国专利 :CN104170069A ,2014-11-26

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

金范庸 ;

吉德信 ;

全喜营 .

中国专利 :CN109841498A ,2019-06-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

神崎庸辅 ;

金子诚二 ;

齐藤贵翁 ;

高丸泰 ;

井手启介 .

中国专利 :CN105981148B ,2016-09-28

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

雅各布·C·胡克 .

中国专利 :CN101558493A ,2009-10-14

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

金载熙 .

中国专利 :CN1750238A ,2006-03-22

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

韩秋华 ;

王新鹏 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102938378A ,2013-02-20

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

王新鹏 ;

黄怡 ;

张世谋 .

中国专利 :CN102956459A ,2013-03-06

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

井胁孝之 ;

伊藤孝政 ;

清水香奈 .

中国专利 :CN102280473A ,2011-12-14

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