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半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200510103061.1
申请日
:
2005-09-19
公开(公告)号
:
CN1750238A
公开(公告)日
:
2006-03-22
发明(设计)人
:
金载熙
申请人
:
申请人地址
:
韩国首尔
IPC主分类号
:
H01L2131
IPC分类号
:
H01L2128
H01L21336
H01L2978
代理机构
:
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人
:
余刚
法律状态
:
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2009-06-03
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-03-22
公开
公开
2006-05-17
实质审查的生效
实质审查的生效
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法
[P].
赵猛
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵猛
.
中国专利
:CN101989548A
,2011-03-23
[2]
半导体器件及其制造方法
[P].
李相燮
论文数:
0
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0
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李相燮
.
中国专利
:CN101471266A
,2009-07-01
[3]
半导体器件及其制造方法
[P].
姚琴
论文数:
0
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0
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
姚琴
;
占迪
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0
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
占迪
;
刘天建
论文数:
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0
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0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
刘天建
;
胡胜
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
胡胜
.
中国专利
:CN117855175A
,2024-04-09
[4]
半导体器件及其制造方法
[P].
姚琴
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0
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
姚琴
;
占迪
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
占迪
;
刘天建
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
刘天建
;
胡胜
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
胡胜
.
中国专利
:CN113629036B
,2024-02-27
[5]
半导体器件及其制造方法
[P].
田炅烨
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田炅烨
.
中国专利
:CN108288648A
,2018-07-17
[6]
半导体器件及其制造方法
[P].
姚琴
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姚琴
;
占迪
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占迪
;
刘天建
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刘天建
;
胡胜
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0
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胡胜
.
中国专利
:CN113629036A
,2021-11-09
[7]
制造半导体器件的方法
[P].
安正烈
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安正烈
;
金占寿
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金占寿
.
中国专利
:CN100499077C
,2007-07-11
[8]
半导体器件的制造方法
[P].
郑冲耕
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郑冲耕
.
中国专利
:CN101471262A
,2009-07-01
[9]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
林士豪
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林士豪
;
杨智铨
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0
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杨智铨
;
苏信文
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苏信文
;
林建隆
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林建隆
;
林建智
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0
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林建智
.
中国专利
:CN113314536A
,2021-08-27
[10]
半导体器件及其制造方法
[P].
张青淳
论文数:
0
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0
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0
张青淳
.
中国专利
:CN108346577B
,2018-07-31
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