半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200510103061.1
申请日
2005-09-19
公开(公告)号
CN1750238A
公开(公告)日
2006-03-22
发明(设计)人
金载熙
申请人
申请人地址
韩国首尔
IPC主分类号
H01L2131
IPC分类号
H01L2128 H01L21336 H01L2978
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人
余刚
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
李相燮 .
中国专利 :CN101471266A ,2009-07-01
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
姚琴 ;
占迪 ;
刘天建 ;
胡胜 .
中国专利 :CN117855175A ,2024-04-09
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
姚琴 ;
占迪 ;
刘天建 ;
胡胜 .
中国专利 :CN113629036B ,2024-02-27
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
田炅烨 .
中国专利 :CN108288648A ,2018-07-17
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
姚琴 ;
占迪 ;
刘天建 ;
胡胜 .
中国专利 :CN113629036A ,2021-11-09
[7]
制造半导体器件的方法 [P]. 
安正烈 ;
金占寿 .
中国专利 :CN100499077C ,2007-07-11
[8]
半导体器件的制造方法 [P]. 
郑冲耕 .
中国专利 :CN101471262A ,2009-07-01
[9]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
林士豪 ;
杨智铨 ;
苏信文 ;
林建隆 ;
林建智 .
中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
张青淳 .
中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31