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半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011188822.9
申请日
:
2020-10-30
公开(公告)号
:
CN112750828B
公开(公告)日
:
2025-03-04
发明(设计)人
:
陈彦羽
程仲良
申请人
:
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H10D84/85
IPC分类号
:
H10D84/03
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;李伟
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-04
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法
[P].
陈彦羽
论文数:
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陈彦羽
;
程仲良
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程仲良
.
中国专利
:CN112750828A
,2021-05-04
[2]
半导体器件及其制造方法
[P].
雅各布·C·胡克
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雅各布·C·胡克
.
中国专利
:CN101558493A
,2009-10-14
[3]
半导体器件及其制造方法
[P].
马敬
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马敬
;
金子貴昭
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金子貴昭
;
黄晓橹
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黄晓橹
.
中国专利
:CN109346419A
,2019-02-15
[4]
半导体器件及其制造方法
[P].
金范庸
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金范庸
;
吉德信
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吉德信
;
全喜营
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全喜营
.
中国专利
:CN109841498A
,2019-06-04
[5]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
井胁孝之
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井胁孝之
;
伊藤孝政
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伊藤孝政
;
清水香奈
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清水香奈
.
中国专利
:CN102280473A
,2011-12-14
[6]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
李制勳
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李制勳
;
金恩贤
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金恩贤
;
申相原
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申相原
;
李恩荣
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李恩荣
.
中国专利
:CN105552128B
,2016-05-04
[7]
半导体器件及其制造方法
[P].
植木诚
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植木诚
;
长谷卓
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长谷卓
.
中国专利
:CN107799652A
,2018-03-13
[8]
半导体器件及其制造方法
[P].
简昭欣
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简昭欣
;
刘继文
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刘继文
;
周承翰
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周承翰
.
中国专利
:CN107230701A
,2017-10-03
[9]
半导体器件及其制造方法
[P].
程仲良
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程仲良
.
中国专利
:CN113921469A
,2022-01-11
[10]
半导体器件及其制造方法
[P].
江国诚
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江国诚
;
徐廷鋐
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徐廷鋐
.
中国专利
:CN104347630B
,2015-02-11
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