半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110873652.6

申请日：

2021-07-30

公开(公告)号：

CN113921469A

公开(公告)日：

2022-01-11

发明(设计)人：

程仲良

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218238 H01L27088 H01L27092

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20210730
2022-01-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112750828A ,2021-05-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈彦羽 ;

程仲良 .

中国专利 :CN112750828B ,2025-03-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

米可·坎托罗 ;

马里亚·托莱达诺·卢克 ;

许然喆 ;

裴东一 .

中国专利 :CN107293492A ,2017-10-24

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

宫本光伸 ;

高丸泰 .

中国专利 :CN104170069A ,2014-11-26

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

郭廷晃 ;

罗家彬 ;

陈维邦 ;

蒋振劼 ;

吴启明 ;

郑志成 .

中国专利 :CN107134450A ,2017-09-05

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

植木诚 ;

长谷卓 .

中国专利 :CN107799652A ,2018-03-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相燮 .

中国专利 :CN101471266A ,2009-07-01

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

王春明 ;

王绍迪 .

中国专利 :CN114937669A ,2022-08-23

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

永野元 ;

新田伸一 ;

亲松尚人 .

中国专利 :CN1246906C ,2006-03-22

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