半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710232643.2

申请日：

2017-04-11

公开(公告)号：

CN107293492A

公开(公告)日：

2017-10-24

发明(设计)人：

米可·坎托罗马里亚·托莱达诺·卢克许然喆裴东一

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

张帆;张青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170411
2017-10-24	公开	公开
2021-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

永野元 ;

新田伸一 ;

亲松尚人 .

中国专利 :CN1246906C ,2006-03-22

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

村冈浩一 .

中国专利 :CN1819117A ,2006-08-16

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

V·S·巴斯克 ;

山下典洪 .

中国专利 :CN104143516A ,2014-11-12

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

唐波 ;

许静 ;

闫江 ;

王红丽 ;

唐兆云 ;

徐烨锋 ;

李春龙 ;

陈邦明 ;

杨萌萌 .

中国专利 :CN105261587A ,2016-01-20

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 .

中国专利 :CN104347630B ,2015-02-11

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103000517A ,2013-03-27

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN101728435A ,2010-06-09

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

小谷淳二 .

中国专利 :CN103022121A ,2013-04-03

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

李春龙 ;

许静 ;

闫江 ;

陈邦明 ;

王红丽 ;

唐波 ;

唐兆云 ;

徐烨锋 ;

杨萌萌 .

中国专利 :CN105261647A ,2016-01-20

← 1 2 3 4 5 →