半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610006929.0

申请日：

2006-01-26

公开(公告)号：

CN1819117A

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

村冈浩一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L213105 H01L21336 H01L2951 H01L2978

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

米可·坎托罗 ;

马里亚·托莱达诺·卢克 ;

许然喆 ;

裴东一 .

中国专利 :CN107293492A ,2017-10-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN101728435A ,2010-06-09

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

小谷淳二 .

中国专利 :CN103022121A ,2013-04-03

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

李春龙 ;

许静 ;

闫江 ;

陈邦明 ;

王红丽 ;

唐波 ;

唐兆云 ;

徐烨锋 ;

杨萌萌 .

中国专利 :CN105261647A ,2016-01-20

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

安武信昭 .

中国专利 :CN1870295A ,2006-11-29

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

许静 ;

闫江 ;

陈邦明 ;

王红丽 ;

唐波 ;

唐兆云 ;

徐烨锋 ;

李春龙 ;

杨萌萌 .

中国专利 :CN105322012B ,2016-02-10

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 .

中国专利 :CN103928515A ,2014-07-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

马可·范·达尔 .

中国专利 :CN113380891B ,2024-05-07

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

许静 ;

闫江 ;

陈邦明 ;

王红丽 ;

唐波 ;

唐兆云 ;

徐烨锋 ;

李春龙 ;

杨萌萌 .

中国专利 :CN105261646A ,2016-01-20

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

永野元 ;

新田伸一 ;

亲松尚人 .

中国专利 :CN1246906C ,2006-03-22

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