半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02160880.6

申请日：

2002-12-27

公开(公告)号：

CN1246906C

公开(公告)日：

2006-03-22

发明(设计)人：

永野元新田伸一亲松尚人

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101056297782 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL021608806 申请日:20021227 授权公告日:20060322 终止日期:20100127
2006-03-22	授权	授权
2003-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

米可·坎托罗 ;

马里亚·托莱达诺·卢克 ;

许然喆 ;

裴东一 .

中国专利 :CN107293492A ,2017-10-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

V·S·巴斯克 ;

山下典洪 .

中国专利 :CN104143516A ,2014-11-12

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

唐波 ;

许静 ;

闫江 ;

王红丽 ;

唐兆云 ;

徐烨锋 ;

李春龙 ;

陈邦明 ;

杨萌萌 .

中国专利 :CN105261587A ,2016-01-20

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 .

中国专利 :CN104347630B ,2015-02-11

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103000517A ,2013-03-27

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN101728435A ,2010-06-09

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

马可·范·达尔 .

中国专利 :CN113380891B ,2024-05-07

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴真河 .

中国专利 :CN101459199A ,2009-06-17

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴圣根 .

中国专利 :CN101192625B ,2008-06-04

← 1 2 3 4 5 →