半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810184365.9

申请日：

2008-12-10

公开(公告)号：

CN101459199A

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

朴真河

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L29423 H01L2128 H01L21336

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军;冯志云

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101567531556 IPC(主分类):H01L 29/788 专利号:ZL2008101843659 申请日:20081210 授权公告日:20111005 终止日期:20121210
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-10-05	授权	授权
2009-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴圣根 .

中国专利 :CN101192625B ,2008-06-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

内田慎一 ;

中柴康隆 .

中国专利 :CN110634864A ,2019-12-31

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN115312580A ,2022-11-08

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

禹元植 .

中国专利 :CN102969337A ,2013-03-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

马敬 ;

金子貴昭 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN109346419A ,2019-02-15

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

内田慎一 ;

中柴康隆 .

日本专利 :CN110634864B ,2024-07-16

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

米可·坎托罗 ;

马里亚·托莱达诺·卢克 ;

许然喆 ;

裴东一 .

中国专利 :CN107293492A ,2017-10-24

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101627470A ,2010-01-13

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