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半导体器件及其制造方法

被引：0
申请号：
CN202210555141.4
申请日：
2022-05-20
公开(公告)号：
CN115312580A
公开(公告)日：
2022-11-08
发明(设计)人：
高境鸿
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2978 H01L21336
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-08 公开 公开
2022-11-25 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220520
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
朴真河 .
中国专利 :CN101459199A ,2009-06-17
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
朴圣根 .
中国专利 :CN101192625B ,2008-06-04
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
内田慎一 ;
中柴康隆 .
中国专利 :CN110634864A ,2019-12-31
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
禹元植 .
中国专利 :CN102969337A ,2013-03-13
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
马敬 ;
金子貴昭 ;
黄晓橹 .
中国专利 :CN109346419A ,2019-02-15
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
内田慎一 ;
中柴康隆 .
日本专利 :CN110634864B ,2024-07-16
[8]
制造半导体器件的方法 [P]. 
安正烈 ;
金占寿 .
中国专利 :CN100499077C ,2007-07-11
[9]
制造半导体器件的方法 [P]. 
赵挥元 ;
洪承希 ;
金奭中 ;
郑哲谟 .
中国专利 :CN101097887A ,2008-01-02
[10]
半导体器件的制造方法 [P]. 
郑冲耕 .
中国专利 :CN101471262A ,2009-07-01
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