制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610173218.2

申请日：

2006-12-30

公开(公告)号：

CN101097887A

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

赵挥元洪承希金奭中郑哲谟

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	公开	公开
2010-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003368394 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2006101732182 公开日:20080102
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法 [P].

安正烈 ;

金占寿 .

中国专利 :CN100499077C ,2007-07-11

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

郑冲耕 .

中国专利 :CN101471262A ,2009-07-01

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

[5]

高压半导体器件的制造方法 [P].

崔容建 .

中国专利 :CN100580907C ,2008-04-30

[6]

一种半导体器件的制造方法 [P].

董飏 .

中国专利 :CN109950148A ,2019-06-28

[7]

一种半导体器件的制造方法 [P].

陈振兴 ;

叶彬 ;

何凤英 .

中国专利 :CN103681506B ,2014-03-26

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN115312580A ,2022-11-08

[9]

制造半导体器件的方法 [P].

金载宪 .

中国专利 :CN101174584A ,2008-05-07

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

张国华 .

中国专利 :CN1447420A ,2003-10-08

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