一种半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210356068.4

申请日：

2012-09-20

公开(公告)号：

CN103681506B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

陈振兴叶彬何凤英

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	授权	授权
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581689202 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2012103560684 申请日:20120920
2014-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法 [P].

安正烈 ;

金占寿 .

中国专利 :CN100499077C ,2007-07-11

[2]

制造半导体器件的方法 [P].

赵挥元 ;

洪承希 ;

金奭中 ;

郑哲谟 .

中国专利 :CN101097887A ,2008-01-02

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

郑冲耕 .

中国专利 :CN101471262A ,2009-07-01

[4]

一种半导体器件的制造方法 [P].

董飏 .

中国专利 :CN109950148A ,2019-06-28

[5]

一种半导体器件及其制造方法 [P].

王文武 ;

陈世杰 ;

王晓磊 ;

韩锴 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102064176B ,2011-05-18

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[7]

一种半导体器件的制造方法 [P].

常荣耀 ;

刘少雄 .

中国专利 :CN109872970A ,2019-06-11

[8]

一种半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109037070A ,2018-12-18

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

[10]

高压半导体器件的制造方法 [P].

崔容建 .

中国专利 :CN100580907C ,2008-04-30

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