一种半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910237546.8

申请日：

2009-11-11

公开(公告)号：

CN102064176B

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

王文武陈世杰王晓磊韩锴陈大鹏

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2951 H01L218238 H01L2128

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

张磊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-18	公开	公开
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088107938 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2009102375468 申请日:20091111
2013-03-20	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN115312580A ,2022-11-08

[3]

一种半导体器件的制造方法 [P].

董飏 .

中国专利 :CN109950148A ,2019-06-28

[4]

一种半导体器件的制造方法 [P].

陈振兴 ;

叶彬 ;

何凤英 .

中国专利 :CN103681506B ,2014-03-26

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

安正烈 ;

金占寿 .

中国专利 :CN100499077C ,2007-07-11

[6]

制造半导体器件的方法 [P].

赵挥元 ;

洪承希 ;

金奭中 ;

郑哲谟 .

中国专利 :CN101097887A ,2008-01-02

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

郑冲耕 .

中国专利 :CN101471262A ,2009-07-01

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相燮 .

中国专利 :CN101471266A ,2009-07-01

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

孟海娟 ;

朱慧珑 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN105355558A ,2016-02-24

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴真河 .

中国专利 :CN101459199A ,2009-06-17

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