半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210320058.5

申请日：

2012-08-30

公开(公告)号：

CN102969337A

公开(公告)日：

2013-03-13

发明(设计)人：

禹元植

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L27115 H01L218247

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

周晓雨;俞波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-13	公开	公开
2015-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714112028 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012103200585 申请公布日:20130313

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴真河 .

中国专利 :CN101459199A ,2009-06-17

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴圣根 .

中国专利 :CN101192625B ,2008-06-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

内田慎一 ;

中柴康隆 .

中国专利 :CN110634864A ,2019-12-31

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN115312580A ,2022-11-08

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

马敬 ;

金子貴昭 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN109346419A ,2019-02-15

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

内田慎一 ;

中柴康隆 .

日本专利 :CN110634864B ,2024-07-16

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

米可·坎托罗 ;

马里亚·托莱达诺·卢克 ;

许然喆 ;

裴东一 .

中国专利 :CN107293492A ,2017-10-24

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101627470A ,2010-01-13

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