半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110266369.3

申请日：

2011-09-09

公开(公告)号：

CN103000517A

公开(公告)日：

2013-03-27

发明(设计)人：

洪中山

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

申发振

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-10	授权	授权
2013-03-27	公开	公开
2013-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101444329635 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011102663693 申请日:20110909

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

米可·坎托罗 ;

马里亚·托莱达诺·卢克 ;

许然喆 ;

裴东一 .

中国专利 :CN107293492A ,2017-10-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

永野元 ;

新田伸一 ;

亲松尚人 .

中国专利 :CN1246906C ,2006-03-22

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

V·S·巴斯克 ;

山下典洪 .

中国专利 :CN104143516A ,2014-11-12

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

唐波 ;

许静 ;

闫江 ;

王红丽 ;

唐兆云 ;

徐烨锋 ;

李春龙 ;

陈邦明 ;

杨萌萌 .

中国专利 :CN105261587A ,2016-01-20

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

徐廷鋐 .

中国专利 :CN104347630B ,2015-02-11

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101989548A ,2011-03-23

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN101728435A ,2010-06-09

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

马可·范·达尔 .

中国专利 :CN113380891B ,2024-05-07

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴真河 .

中国专利 :CN101459199A ,2009-06-17

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴圣根 .

中国专利 :CN101192625B ,2008-06-04

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