半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480012341.9

申请日：

2014-02-25

公开(公告)号：

CN105027296A

公开(公告)日：

2015-11-04

发明(设计)人：

北角英人

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

G02F11343 G02F11368 H01L2128 H01L21336 H01L29417

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳;杨艺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101635136269 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2014800123419 申请日:20140225
2015-11-04	公开	公开
2018-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

金子寿辉 ;

木村史哉 .

中国专利 :CN115377211A ,2022-11-22

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

内田诚一 .

中国专利 :CN105814481A ,2016-07-27

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101640219A ,2010-02-03

[5]

半导体装置、半导体装置封装及其制造方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN112951814A ,2021-06-11

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴尚霖 .

中国专利 :CN115101542B ,2025-03-28

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

范扬顺 .

中国专利 :CN115050761B ,2025-02-07

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

范扬顺 .

中国专利 :CN115050761A ,2022-09-13

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴尚霖 ;

陈衍豪 .

中国专利 :CN115050839A ,2022-09-13

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴尚霖 ;

陈衍豪 .

中国专利 :CN115050839B ,2025-03-21

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