半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210825455.1

申请日：

2022-07-13

公开(公告)号：

CN115101542B

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

吴尚霖

申请人：

友达光电股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H10D86/60

IPC分类号：

H10D86/01

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王锐

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴尚霖 .

中国专利 :CN115101542A ,2022-09-23

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴尚霖 ;

陈衍豪 .

中国专利 :CN115050839A ,2022-09-13

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

吴尚霖 ;

陈衍豪 .

中国专利 :CN115050839B ,2025-03-21

[4]

半导体装置、半导体装置封装及其制造方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN112951814A ,2021-06-11

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

范扬顺 .

中国专利 :CN115050761B ,2025-02-07

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

范扬顺 .

中国专利 :CN115050761A ,2022-09-13

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101640219A ,2010-02-03

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

江家维 ;

范扬顺 ;

黄震铄 .

中国专利 :CN115050838A ,2022-09-13

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

中野文树 ;

加藤纯男 .

中国专利 :CN107851668B ,2018-03-27

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