半导体装置及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210538580.4

申请日：

2022-05-18

公开(公告)号：

CN115377211A

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

金子寿辉木村史哉

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29786 H01L2134

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

邸万杰;徐飞跃

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20220518
2022-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

内田诚一 .

中国专利 :CN105814481A ,2016-07-27

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

青井信雄 ;

中川秀夫 ;

池田敦 .

中国专利 :CN1842904A ,2006-10-04

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

金辅淳 ;

金炫知 ;

李正允 ;

朴起宽 ;

朴商德 ;

吴怜默 ;

李庸硕 .

中国专利 :CN106960870A ,2017-07-18

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

池田敦 ;

中川秀夫 ;

青井信雄 .

中国专利 :CN100447979C ,2008-12-31

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

北角英人 .

中国专利 :CN105027296A ,2015-11-04

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

粉谷直树 ;

濑部绍夫 ;

冈崎玄 ;

玉置德彦 .

中国专利 :CN1983634A ,2007-06-20

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101640219A ,2010-02-03

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN103779423A ,2014-05-07

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN108649066A ,2018-10-12

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