NMOS器件、半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510676869.2

申请日：

2015-10-19

公开(公告)号：

CN106601606A

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2949 H01L21336

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

孙宝海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101721571135 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2015106768692 申请日:20151019
2019-09-20	授权	授权
2017-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极堆叠结构、NMOS器件、半导体装置及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106601605B ,2017-04-26

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630541A ,2018-10-09

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107452604A ,2017-12-08

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵杰 ;

刘佳磊 ;

王亮 .

中国专利 :CN106960818A ,2017-07-18

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

宋熙赞 ;

金泽中 ;

李东洙 .

韩国专利 :CN120835611A ,2025-10-24

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

张海洋 ;

纪世良 .

中国专利 :CN109904112B ,2019-06-18

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107452792A ,2017-12-08

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

神兆旭 ;

卑多慧 .

中国专利 :CN108695321A ,2018-10-23

[10]

一种半导体器件及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107564863B ,2018-01-09

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