栅极堆叠结构、NMOS器件、半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510674607.2

申请日：

2015-10-19

公开(公告)号：

CN106601605B

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423 H01L2949 H01L2978 H01L27088 H01L218234

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

张海强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-28	授权	授权
2017-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101721565185 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2015106746072 申请日:20151019
2017-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

NMOS器件、半导体装置及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106601606A ,2017-04-26

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630541A ,2018-10-09

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨佳琦 ;

赵杰 .

中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09

[4]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109037046B ,2018-12-18

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107452604A ,2017-12-08

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

赵杰 ;

刘佳磊 ;

王亮 .

中国专利 :CN106960818A ,2017-07-18

[7]

具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118919490A ,2024-11-08

[8]

用于半导体器件的栅极堆叠的制造方法 [P].

马库斯·慕勒 ;

瑞格胡那斯·辛加那马拉 .

中国专利 :CN106169418A ,2016-11-30

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

宋熙赞 ;

金泽中 ;

李东洙 .

韩国专利 :CN120835611A ,2025-10-24

[10]

栅极堆叠的制造方法和半导体器件 [P].

钟汇才 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102270607A ,2011-12-07

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