栅极堆叠的制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010197080.6

申请日：

2010-06-03

公开(公告)号：

CN102270607A

公开(公告)日：

2011-12-07

发明(设计)人：

钟汇才骆志炯梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L2910

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

赵伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101174909857 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010101970806 申请日:20100603
2014-01-29	授权	授权
2011-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[2]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

孟海娟 ;

朱慧珑 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN105355558A ,2016-02-24

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

徐秋霞 ;

许高博 ;

周华杰 ;

朱慧珑 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103855016A ,2014-06-11

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

徐秋霞 ;

朱慧珑 ;

许高博 ;

周华杰 ;

梁擎擎 ;

陈大鹏 ;

赵超 .

中国专利 :CN103855006A ,2014-06-11

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

徐秋霞 ;

朱慧珑 ;

许高博 ;

周华杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103854982B ,2014-06-11

[7]

用于半导体器件的栅极堆叠的制造方法 [P].

马库斯·慕勒 ;

瑞格胡那斯·辛加那马拉 .

中国专利 :CN106169418A ,2016-11-30

[8]

半导体器件栅极的制造方法 [P].

马擎天 ;

张海洋 ;

刘乒 .

中国专利 :CN100561671C ,2008-03-12

[9]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

张海洋 .

中国专利 :CN100517577C ,2008-04-02

[10]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

张海洋 ;

杜珊珊 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101192524A ,2008-06-04

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