半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711246957.4
申请日
2017-12-01
公开(公告)号
CN107887402A
公开(公告)日
2018-04-06
发明(设计)人
鲸井裕
申请人
申请人地址
223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
IPC主分类号
H01L27146
IPC分类号
H01L2170
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
欧阳帆
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
陈卓凡 ;
张海洋 .
中国专利 :CN108133946A ,2018-06-08
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
赵基熙 ;
姜相列 ;
姜埈求 ;
金泰均 ;
朴志云 ;
安相赫 ;
李珍秀 ;
李炫锡 ;
蔡弘植 .
韩国专利 :CN114068812B ,2025-02-11
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
赵基熙 ;
姜相列 ;
姜埈求 ;
金泰均 ;
朴志云 ;
安相赫 ;
李珍秀 ;
李炫锡 ;
蔡弘植 .
中国专利 :CN114068812A ,2022-02-18
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
吴悠 ;
朱筠 .
中国专利 :CN108962921A ,2018-12-07
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
杨佳琦 ;
赵杰 .
中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
宫本忠芳 ;
伊东一笃 ;
森重恭 ;
宫本光伸 ;
小川康行 ;
中泽淳 ;
内田诚一 ;
松尾拓哉 .
中国专利 :CN104081507A ,2014-10-01
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
邓浩 ;
徐建华 ;
周峰 ;
杨小军 .
中国专利 :CN108630604A ,2018-10-09
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
陈建桦 ;
李德章 ;
张勇舜 ;
李宝男 .
中国专利 :CN105226045B ,2016-01-06
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN109427880B ,2019-03-05
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
张海洋 ;
纪世良 .
中国专利 :CN109904112B ,2019-06-18