单晶硅制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480059891.6

申请日：

2014-10-31

公开(公告)号：

CN105683424A

公开(公告)日：

2016-06-15

发明(设计)人：

田边一美横山隆金大基

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

童春媛;刘力

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-15	公开	公开
2018-12-28	授权	授权
2016-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669694599 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2014800598916 申请日:20141031

共 50 条

[1]

单晶硅及其制造方法 [P].

永井勇太 ;

中川聪子 ;

鹿岛一日儿 .

中国专利 :CN104278321B ,2015-01-14

[2]

单晶硅的制造方法 [P].

王兴邦 ;

程俊翰 ;

林嫚萱 ;

王汉民 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN108691009A ,2018-10-23

[3]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[4]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[5]

单晶硅制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

德江润也 ;

星亮二 ;

布施川泉 .

中国专利 :CN105247115B ,2016-01-13

[6]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[7]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[8]

制造单晶硅 [P].

埃里克·绍尔 ;

奥列格·费费洛夫 ;

卡内尔·洛德 .

中国专利 :CN104246022A ,2014-12-24

[9]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[10]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

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