单晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810238746.4

申请日：

2018-03-22

公开(公告)号：

CN108691009A

公开(公告)日：

2018-10-23

发明(设计)人：

王兴邦程俊翰林嫚萱王汉民徐文庆

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B2702

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马雯雯;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	授权	授权
2020-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20180322
2018-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅制造方法 [P].

田边一美 ;

横山隆 ;

金大基 .

中国专利 :CN105683424A ,2016-06-15

[2]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[3]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[4]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

[5]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[6]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[7]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[8]

单晶硅及其制造方法 [P].

永井勇太 ;

中川聪子 ;

鹿岛一日儿 .

中国专利 :CN104278321B ,2015-01-14

[9]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[10]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

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